Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Angriff auf SiC- und GaN-Domäne

Infineon kündigt 400-V-Siliziumkarbid-MOSFET an

Es wäre ein Paukenschlag: Infineon Technologies wird einen diskreten 400-V-SiC-MOSFET auf den Markt bringen und damit in direkte Konkurrenz zu klassischen Silizum- und GaN-Leistungshalbleitern treten. Damit würden neue Anwendungsbereiche von den SiC-Vorteilen profitieren.

ICs für nachhaltiges Systemdesign

Energiesparend, zuverlässig, hohe Leistungsdichte und sicher

Nachhaltigkeit ist entscheidend. Dazu tragen erneuerbare Energien und deren effiziente...

Infineon/HD KSOE

Elektrifizierung von Schiffen

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Die Klage sei unbegründet

Stellungnahme zur Klage von Infineon gegen Innoscience

Infineon Technologies hatte in den USA Klage gegen Innoscience (Zhuhai) Technology...

Produkte des Jahres 2024

Impressionen von der Preisverleihung

Die Siegerehrung der Elektronik-Leserwahl »Produkte des Jahres« fand im Rahmen einer...

GaN Technology

Infineon sues Innoscience for Patent Infringement

Infineon Technologies filed a lawsuit, through its subsidiary Infineon Technologies...

GaN-Technologie

Infineon verklagt Innoscience wegen Patentverletzung

Infineon Technologies hat über ihre Tochtergesellschaft Infineon Technologies Austria...

Infineon: CoolSiC MOSFETs 2000 V

SiC-Komponente mit einer Durchbruchspannung von 2000 V

Infineon Technologies hat die neuen CoolSiC MOSFETS 2000 V im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse...

40. Geburtstag des Forschungszentrums

Interview mit imec-CEO Luc Van den hove: »Vielfalt als Vorteil«

Das imec feiert Geburtstag. Luc Van den hove, President und CEO vom imec, ist...

GaN-Leistungsstufe/DC/DC-Wandlermodul

Leistungswandler mit hoher Leistungsdichte und kleinem Footprint

Texas Instruments (TI) hat sein Portfolio an Leistungswandlern mit zwei...